參數(shù)資料
型號： W65C816SPL10
英文描述： Microprocessor
中文描述： 微處理器
文件頁數(shù)： 27/62頁
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代理商： W65C816SPL10
WESTERN DESIGN CENTER
W65C816S
March 1, 2000
27
4.2 DC Characteristics VDD = 5.0V +/- 5%, VSS = 0V, TA = 0
°
C to +70
°
C
Table 4-2 DC Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Input High Voltage
RDY, IRQB, Data, PHI2,
NMIB, ABORTB, BE, RESB
Vih
0.8VDD
VDD+0.3
V
Input Low Voltage
RDY, IRQB, Data, PHI2,
NMIB, ABORTB, BE, RESB
Vil
VSS-0.3
0.2VDD
V
Input Leakage Current (Vin=0.4 to 2.4)
RDY, (Active Pullup)
PHI2
Address, Data, RWB, (Off state, BE=0), All other
inputs
Iin
-100
-1
-10
10
1
10
μ
A
μ
A
μ
A
Output High Voltage (Ioh=-100
F
A)
Data, Address, RWB, MLB, VPB,
MX, E, VDA, VPA
Voh
0.7VDD
-
V
Output Low Voltage (Iol=1.6mA)
Data, Address, RWB, MLB, VPB,
MX, E, VDA, VPA
Vol
-
0.4
V
Supply Current (no load)
Idd
3
mA/MH
z
Standby Current (No Load, Data Bus = VSS or VDD)
RESB, NMIB, IRQB, BE, ABORTB, PHI2=VDD
Isby
-
5
μ
A
Capacitance (Vin=0V, TA=25
E
C, f=2MHz)
PHI2, MX, VDA, RESB, VPB, RDY, ABORTB,
IRQB, MLB, NMIB, VPA, E, BE
Address, Data, R/W- (Off state)
* Not inspected during production test; verified on a
sample basis.
Cin
Cts
-
-
10
15
pF
pF
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PDF描述
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