參數(shù)資料
型號: W9412G2IB-4
廠商: WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類: DRAM
英文描述: 4M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144
封裝: 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LFBGA-144
文件頁數(shù): 35/50頁
文件大?。?/td> 826K
代理商: W9412G2IB-4
W9412G2IB
Publication Release Date: Aug. 30, 2010
- 40 -
Revision A06
10.10 Auto-precharge Timing (Write Cycle)
AP
ACT
WRITA
ACT
WRITA
CMD
DQS
DQ
CMD
DQS
DQ
CMD
DQS
DQ
BL=2
BL=4
BL=8
CLK
AP
D0
D1
D0
D1
D2
D3
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
tDAL
WRITA
The Write with Auto-precharge command cannot be interrupted by any other command.
AP
Represents the start of internal precharging.
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