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參數(shù)資料
| 型號： | W987X6CBG80 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 18/46頁 |
| 文件大小： | 1634K |
| 代理商： | W987X6CBG80 |
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Preliminary W987X6CB
Publication Release Date: June 6, 2002
- 25 -
Revision A1
Operating Timing Example, continued
Interleaved Bank Read (Burst Length = 4, CAS Latency = 3, Auto Precharge)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
(CLK = 100 MHz)
CLK
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
BS0
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRAS
tRP
tRAS
tRCD
tAC
tRRD
Active
Read
Active
Read
Active
Read
tRC
RAa
RBb
RAc
RBd
RAe
DQ
aw0
aw1
aw2
aw3
bx0
bx1
bx2
bx3
cy0
cy1
cy2
cy3
dz0
* AP is the internal precharge start timing
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
AP*
RAa
CAw
RBb
CBx
RAc
CAy
RBd
RAe
CBz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF512K32-90G1TI5A | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68 |
| WF512K32-90G1TI5 | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68 |
| WS128K32-70G4I | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CQFP68 |
| WS128K32-85G4I | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CQFP68 |
| WS128K32-85HM | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CHIP66 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W987Y6CBN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM |
| W987Z6CBN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM |
| W988D2FB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256Mb Mobile LPSDR |
| W988D2FBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPSDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
| W988D2FBJX6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256Mb Mobile LPSDR |
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