參數(shù)資料
型號： W987X6CBG80
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54
封裝： 8 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54
文件頁數(shù)： 44/46頁
文件大小： 1634K
代理商： W987X6CBG80
Preliminary W987X6CB
Publication Release Date: June 6, 2002
- 7 -
Revision A1
7. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER
SYMBOL
RATING
UNIT
NOTE
Input/Output Voltage
VIN, VOUT
-0.3
VDD +0.3
V
1
Power Supply Voltage
VDD, VDDQ
-0.3
3.6
V
1
Operating Temperature (Commercial parts)
TOPR
0
70
°C
1
Operating Temperature (Industrial parts)
TOPR
-40
85
°C
1
Storage Temperature
TSTG
-55
150
°C
1
Soldering Temperature (10s)
TSOLDER
260
°C
1
Power Dissipation
PD
1
W
1
Short Circuit Output Current
IOUT
50
mA
1
8. DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS
(TA = 0
° C to 70° C for commercial parts, TA = -40° C to 85° C for Industrial parts)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Supply Voltage
VDD
2.3
2.5
2.7
V
Supply Voltage (for I/O Buffer)
VDDQ
1.65
1.8
1.95
V
Input High Level Voltage
VIH
0.8 * VDDQ
-
VDDQ + 0.3
V
Input Low Level Voltage
VIL
-0.3
-
0.2 * VDDQ
V
LVTTL Output ″H″ Level Voltage
(IOUT = -0.1 mA )
VOH
VDDQ -0.2
-
V
LVTTL Output ″L″ Level Voltage
(IOUT = +0.1 mA )
VOL
-
0.2
V
Input Leakage Current
(0V
≤ VIN ≤ VDD, all other pins not under test = 0V)
II(L)
-5
-
5
A
Output Leakage Current
(Output disable , 0V
≤ VOUT ≤ VCCQ)
IO(L)
-5
-
5
A
Note: VIH(max) = VDD/ VDDQ +1.2V for pulse width < 5 nS
VIL(min) = VSS/ VSSQ -1.2V for pulse width < 5 nS
9. CAPACITANCE
(VDD = 2.5V, f = 1 MHz, TA = 25
° C)
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
MAX.
UNIT
Input Capacitance
(A0 to A11, BS0, BS1, CS , RAS , CAS , WE , DQM, CKE)
CI
-
3.8
pF
Input Capacitance (CLK)
CCLK
-
3.5
pF
Input/Output capacitance
CIO
-
6.5
pF
Note: These parameters are periodically sampled and not 100% tested.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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WF512K32-90G1TI5 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68
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WS128K32-85G4I 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CQFP68
WS128K32-85HM 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CHIP66
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參數(shù)描述
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W987Z6CBN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM
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