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參數(shù)資料
| 型號： | W987X6CBG80 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-54 |
| 文件頁數(shù)： | 27/46頁 |
| 文件大小： | 1634K |
| 代理商： | W987X6CBG80 |
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Preliminary W987X6CB
Publication Release Date: June 6, 2002
- 33 -
Revision A1
Operating Timing Example, continued
Auto Precharge Write (Burst Length = 4)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
(CLK = 100 MHz)
CLK
DQ
CKE
DQM
A0-A9,
A11
A10
BS1
WE
CAS
RAS
CS
BS0
tRC
tRAS
tRP
tRAS
tRP
RAa
tRCD
RAb
RAc
RAa
CAw
RAb
CAx
RAc
aw0
aw1
aw2
aw3
bx0
bx1
bx2
bx3
Active
Write
AP*
Active
Write
AP*
* AP is the internal precharge start timing
Bank #0
Idle
Bank #1
Bank #2
Bank #3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WF512K32-90G1TI5A | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68 |
| WF512K32-90G1TI5 | 512K X 32 FLASH 5V PROM MODULE, 90 ns, CQFP68 |
| WS128K32-70G4I | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 70 ns, CQFP68 |
| WS128K32-85G4I | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CQFP68 |
| WS128K32-85HM | 512K X 8 MULTI DEVICE SRAM MODULE, 85 ns, CHIP66 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W987Y6CBN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM |
| W987Z6CBN | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM |
| W988D2FB | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256Mb Mobile LPSDR |
| W988D2FBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPSDR SDRAM 256MBIT 90VFBGA |
| W988D2FBJX6I | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:256Mb Mobile LPSDR |
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