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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | X28HT010W |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 5V, Byte Alterable EEPROM |
| 中文描述： | 128K X 8 EEPROM 5V, 200 ns, UUC |
| 封裝： | WAFER |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/20頁(yè) |
| 文件大小： | 444K |
| 代理商： | X28HT010W |
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13
FN8105.1
February 12, 2007
WE Controlled Write Cycle
NOTE:
5. t
WC
is the minimum cycle time to be allowed from the system perspective unless polling techniques are used. It is the maximum time the device
requires to complete internal write operation.
CE Controlled Write Cycle
Address
t
AS
t
WC
t
AH
t
OES
t
DV
t
DS
t
DH
t
OEH
CE
WE
OE
Data In
Data Out
HIGH Z
Data Valid
t
CS
t
CH
t
WP
t
WPH
Address
t
AS
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OEH
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WC
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AH
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OES
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WPH
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CS
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DV
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DS
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DH
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CH
CE
WE
OE
Data In
Data Out
HIGH Z
Data Valid
t
CW
X28C010, X28HT010
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| X2N3922 | MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET HENERAL PURPOSE AMPLIFIER |
| X2N4338-41 | N-Channel JFET Low Noise Amplifier |
| X2N4339 | N-Channel JFET Low Noise Amplifier |
| X2N4351 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET General Purpose Amplifier/Switch |
| X2N4352 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Amplifier/Switch |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| X28HT512 | 制造商:XICOR 制造商全稱:Xicor Inc. 功能描述:High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
| X28HT512D-20 | 制造商:XICOR 制造商全稱:Xicor Inc. 功能描述:High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
| X28HT512D-25 | 制造商:XICOR 制造商全稱:Xicor Inc. 功能描述:High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
| X28HT512F-20 | 制造商:XICOR 制造商全稱:Xicor Inc. 功能描述:High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
| X28HT512F-25 | 制造商:XICOR 制造商全稱:Xicor Inc. 功能描述:High Temperature, 5 Volt, Byte Alterable E2PROM |
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