- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄19304 > XC3S400-4FTG256I (Xilinx Inc)SPARTAN3A FPGA 400K STD 256FTBGA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | XC3S400-4FTG256I |
| 廠商： | Xilinx Inc |
| 文件頁數(shù)： | 195/272頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | SPARTAN3A FPGA 400K STD 256FTBGA |
| 標準包裝： | 90 |
| 系列： | Spartan®-3 |
| LAB/CLB數(shù)： | 896 |
| 邏輯元件/單元數(shù)： | 8064 |
| RAM 位總計： | 294912 |
| 輸入/輸出數(shù)： | 173 |
| 門數(shù)： | 400000 |
| 電源電壓： | 1.14 V ~ 1.26 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | -40°C ~ 100°C |
| 封裝/外殼： | 256-LBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 256-FTBGA |
| 其它名稱： | 122-1716 XC3S400-4FTG256I-ND |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁第173頁第174頁第175頁第176頁第177頁第178頁第179頁第180頁第181頁第182頁第183頁第184頁第185頁第186頁第187頁第188頁第189頁第190頁第191頁第192頁第193頁第194頁當(dāng)前第195頁第196頁第197頁第198頁第199頁第200頁第201頁第202頁第203頁第204頁第205頁第206頁第207頁第208頁第209頁第210頁第211頁第212頁第213頁第214頁第215頁第216頁第217頁第218頁第219頁第220頁第221頁第222頁第223頁第224頁第225頁第226頁第227頁第228頁第229頁第230頁第231頁第232頁第233頁第234頁第235頁第236頁第237頁第238頁第239頁第240頁第241頁第242頁第243頁第244頁第245頁第246頁第247頁第248頁第249頁第250頁第251頁第252頁第253頁第254頁第255頁第256頁第257頁第258頁第259頁第260頁第261頁第262頁第263頁第264頁第265頁第266頁第267頁第268頁第269頁第270頁第271頁第272頁
Spartan-3 FPGA Family: Functional Description
DS099 (v3.1) June 27, 2013
Product Specification
29
The product of w and n yields the total block RAM capacity. Equation 1 and Equation 2 show that as the data bus width
increases, the number of address lines along with the number of addressable memory locations decreases. Using the
permissible DI/DO bus widths as inputs to these equations provides the bus width and memory capacity measures shown
in Table 14.
Block RAM Data Operations
Writing data to and accessing data from the block RAM are synchronous operations that take place independently on each
of the two ports.
The waveforms for the write operation are shown in the top half of the Figure 15, Figure 16, and Figure 17. When the WE
and EN signals enable the active edge of CLK, data at the DI input bus is written to the block RAM location addressed by the
ADDR lines.
There are a number of different conditions under which data can be accessed at the DO outputs. Basic data access always
occurs when the WE input is inactive. Under this condition, data stored in the memory location addressed by the ADDR lines
passes through a transparent output latch to the DO outputs. The timing for basic data access is shown in the portions of
Data can also be accessed on the DO outputs when asserting the WE input. This is accomplished using two different
attributes:
Choosing the WRITE_FIRST attribute, data is written to the addressed memory location on an enabled active CLK edge and
is also passed to the DO outputs. WRITE_FIRST timing is shown in the portion of Figure 15 during which WE is High.
Choosing the READ_FIRST attribute, data already stored in the addressed location pass to the DO outputs before that
location is overwritten with new data from the DI inputs on an enabled active CLK edge. READ_FIRST timing is shown in the
portion of Figure 16 during which WE is High.
Table 14: Port Aspect Ratios for Port A or B
DI/DO Bus Width
(w – p Bits)
DIP/DOP
Bus Width (p Bits)
Total Data Path
Width (w Bits)
ADDR Bus Width
(r Bits)
No. of Addressable
Locations (n)
Block RAM
Capacity (Bits)
1
0
1
14
16,384
2
0
2
13
8,192
16,384
4
0
4
12
4,096
16,384
8
1
9
11
2,048
18,432
16
2
18
10
1,024
18,432
32
4
36
9
512
18,432
X-Ref Target - Figure 15
Figure 15: Waveforms of Block RAM Data Operations with WRITE_FIRST Selected
CLK
WE
DI
ADDR
DO
EN
DISABLED
READ
XXXX
1111
2222
XXXX
aa
bb
cc
dd
0000
MEM(aa)
1111
2222
MEM(dd)
READ
WRITE
MEM(bb)=1111
WRITE
MEM(cc)=2222
DS099-2_14_091410
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GPC41-12G | PS SWITCHER 40W 12V 3.3A |
| KA7812ETSTU | IC REG LDO 12V 1A TO-220 |
| XC6SLX16-3FTG256I | IC FPGA SPARTAN 6 14K 256FTGBGA |
| VI-21H-EU | CONVERTER MOD DC/DC 52V 200W |
| VI-B6N-CY-S | CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 50W |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| XC3S400-4FTG256I4022 | 制造商:Xilinx 功能描述: |
| XC3S400-4PQ208C | 功能描述:IC SPARTAN-3 FPGA 400K 208PQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:Spartan®-3 標準包裝:40 系列:Spartan® 6 LX LAB/CLB數(shù):3411 邏輯元件/單元數(shù):43661 RAM 位總計:2138112 輸入/輸出數(shù):358 門數(shù):- 電源電壓:1.14 V ~ 1.26 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:-40°C ~ 100°C 封裝/外殼:676-BGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:676-FBGA（27x27） |
| XC3S400-4PQ208CES | 制造商:Xilinx 功能描述: |
| XC3S400-4PQ208I | 制造商:Xilinx 功能描述:FPGA SPARTAN-3 400K GATES 8064 CELLS 630MHZ 1.2V 208PQFP - Trays |
| XC3S400-4PQG208C | 功能描述:IC SPARTAN-3 FPGA 400K 208-PQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（現(xiàn)場可編程門陣列） 系列:Spartan®-3 標準包裝:60 系列:XP LAB/CLB數(shù):- 邏輯元件/單元數(shù):10000 RAM 位總計:221184 輸入/輸出數(shù):244 門數(shù):- 電源電壓:1.71 V ~ 3.465 V 安裝類型:表面貼裝 工作溫度:0°C ~ 85°C 封裝/外殼:388-BBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:388-FPBGA（23x23） 其它名稱:220-1241 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。