參數(shù)資料
型號(hào): XC3S50A-4VQ100I
廠商: Xilinx Inc
文件頁(yè)數(shù): 74/132頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: IC FPGA SPARTAN 3 100VQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 90
系列: Spartan®-3A
LAB/CLB數(shù): 176
邏輯元件/單元數(shù): 1584
RAM 位總計(jì): 55296
輸入/輸出數(shù): 68
門(mén)數(shù): 50000
電源電壓: 1.14 V ~ 1.26 V
安裝類(lèi)型: 表面貼裝
工作溫度: -40°C ~ 100°C
封裝/外殼: 100-TQFP
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 100-VQFP(14x14)
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)當(dāng)前第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)
DC and Switching Characteristics
46
DS529-3 (v2.0) August 19, 2010
Block RAM Timing
Table 35: Block RAM Timing
Symbol
Description
Speed Grade
Units
-5
-4
MinMax
Clock-to-Output Times
TRCKO
When reading from block RAM, the delay from the active
transition at the CLK input to data appearing at the DOUT
output
–2.06
–2.49
ns
Setup Times
TRCCK_ADDR Setup time for the ADDR inputs before the active transition at
the CLK input of the block RAM
0.32
–0.36
–ns
TRDCK_DIB
Setup time for data at the DIN inputs before the active
transition at the CLK input of the block RAM
0.28
–0.31
–ns
TRCCK_ENB
Setup time for the EN input before the active transition at the
CLK input of the block RAM
0.69
–0.77
–ns
TRCCK_WEB
Setup time for the WE input before the active transition at the
CLK input of the block RAM
1.12
–1.26
–ns
Hold Times
TRCKC_ADDR Hold time on the ADDR inputs after the active transition at the
CLK input
0
–0
–ns
TRCKD_DIB
Hold time on the DIN inputs after the active transition at the
CLK input
0
–0
–ns
TRCKC_ENB
Hold time on the EN input after the active transition at the CLK
input
0
–0
–ns
TRCKC_WEB
Hold time on the WE input after the active transition at the CLK
input
0
–0
–ns
Clock Timing
TBPWH
High pulse width of the CLK signal
1.56
–1.79
–ns
TBPWL
Low pulse width of the CLK signal
1.56
–1.79
–ns
Clock Frequency
FBRAM
Block RAM clock frequency
0
320
0
280
MHz
Notes:
1.
The numbers in this table are based on the operating conditions set forth in Table 8.
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