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參數(shù)資料
| 型號： | 200GA120DN2 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 3/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 150K |
| 代理商： | 200GA120DN2 |
3
Oct-27-1997
BSM 200 GA 120 DN2
Electrical Characteristics
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Switching Characteristics, Inductive Load at
T
j
= 125 °C
Turn-on delay time
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 200 A
R
Gon
= 4.7
Rise time
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 200 A
R
Gon
= 4.7
Turn-off delay time
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 200 A
R
Goff
= 4.7
Fall time
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 200 A
R
Goff
= 4.7
t
d(on)
-
110
220
ns
t
r
-
80
160
t
d(off)
-
550
800
t
f
-
80
120
Free-Wheel Diode
Diode forward voltage
I
F
= 200 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
I
F
= 200 A,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 125 °C
Reverse recovery time
I
F
= 200 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
d
i
F
/
dt
= -2000 A/μs,
T
j
= 125 °C
Reverse recovery charge
I
F
= 200 A,
V
R
= -600 V,
V
GE
= 0 V
d
i
F
/
dt
= -2000 A/μs
T
j
= 25 °C
T
j
= 125 °C
V
F
-
-
1.8
2.3
-
2.8
V
t
rr
-
0.5
-
μs
Q
rr
-
-
36
12
-
-
μC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 200GA120DN2S | IGBT Module |
| 200GA170DN2 | IGBT Module |
| 200GA170DN2S | IGBT Module |
| 200GB120DN2 | IGBT Module |
| 200GL120DN2 | IGBT Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 200GA120DN2S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GA170DN2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GA170DN2S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GB120DN2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GB60DLC | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:Technicshe Information |
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