參數(shù)資料
型號: 200GA120DN2
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁數(shù): 7/10頁
文件大小: 150K
代理商: 200GA120DN2
7
Oct-27-1997
BSM 200 GA 120 DN2
Typ. switching time
I = f (I
C
) ,
inductive load , T
j
= 125°C
par.:
V
CE
= 600 V,
V
GE
= ± 15 V,
R
G
= 4.7
0
100
200
300
A
500
I
C
1
10
2
10
3
10
4
10
ns
t
tdon
tr
tdoff
tf
Typ. switching time
t = f (R
G
) ,
inductive load ,
T
j
= 125°C
par.:
V
CE
= 600 V,
V
GE
= ± 15 V,
I
C
= 200 A
0
10
20
30
40
60
R
G
1
10
2
10
3
10
4
10
ns
t
tdon
tr
tdoff
tf
Typ. switching losses
E = f (I
C
) ,
inductive load ,
T
j
= 125°C
par.:
V
CE
= 600 V,
V
GE
= ± 15 V,
R
G
= 4.7
0
100
200
300
A
500
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
mWs
100
E
Eon
Eoff
Typ. switching losses
E = f (R
G
) ,
inductive load
,
T
j
= 125°C
par.:
V
CE
= 600V,
V
GE
= ± 15 V,
I
C
= 200 A
0
10
20
30
40
60
R
G
0
10
20
30
40
50
60
70
80
mWs
100
E
Eon
Eoff
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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200GA170DN2 IGBT Module
200GA170DN2S IGBT Module
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參數(shù)描述
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