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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 200GA120DN2 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 150K |
| 代理商： | 200GA120DN2 |
6
Oct-27-1997
BSM 200 GA 120 DN2
Typ. gate charge
V
GE
=
(
Q
Gate
)
parameter:
I
C puls
= 200 A
0
200
400
600
800
1000
nC
Q
Gate
1400
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GE
800 V
600 V
Typ. capacitances
C
=
f
(
V
CE
)
parameter:
V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
0
5
10
15
20
25
30
V
V
CE
40
-1
10
0
10
1
10
2
10
nF
C
Ciss
Coss
Crss
Reverse biased safe operating area
I
Cpuls
= f(V
CE
)
,
T
j
= 150°C
parameter:
V
GE
= ± 15 V,
t
p
≤
1 ms, L < 20 nH
0
200
400
600
800
1000 1200
V
1600
V
CE
0.0
0.5
1.0
1.5
2.5
I
Cpuls
I
C
di/dt = 1000A/μs
3000A/μs
5000A/μs
Short circuit safe operating area
I
Csc
= f(V
CE
) ,
T
j
= 150°C
parameter:
V
GE
= ± 15 V,
t
SC
≤
10 μs, L < 20 nH
0
200
400
600
800
1000 1200
V
1600
V
CE
0
2
4
6
8
12
I
Csc
/
I
C
circuit: >1s
° time between short
short circuit: <1000
° allowed number of
di/dt = 1000A/μs
3000A/μs
5000A/μs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 200GA120DN2S | IGBT Module |
| 200GA170DN2 | IGBT Module |
| 200GA170DN2S | IGBT Module |
| 200GB120DN2 | IGBT Module |
| 200GL120DN2 | IGBT Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 200GA120DN2S | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GA170DN2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GA170DN2S | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GB120DN2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| 200GB60DLC | 制造商:EUPEC 制造商全稱(chēng):EUPEC 功能描述:Technicshe Information |
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