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參數(shù)資料
| 型號： | 28F320D18 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 1.8 Volt Intel Dual-Plane Flash Memory(1.8 V Intel 雙平面閃速存儲器) |
| 中文描述： | 1.8 V的英特爾雙平面閃存（1.8伏英特爾雙平面閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 76/83頁 |
| 文件大?。?/td> | 836K |
| 代理商： | 28F320D18 |
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28F320D18
72
Product Preview
2Dh
4
Erase Block Region 1 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
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See Device
Geometry
Definition
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4
Erase Block Region 2 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
See
Device
Geometry
Definition
Table
35h
4
Erase Block Region 3 Information
bits 0–15 = y, y+1 = number of identical-size erase blocks
bits 16–31 = z, region erase block(s) size are z x 256 bytes
See
Device
Geometry
Definition
Table
Device Geometry Definition
Address
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64 Mbit (info only)
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2E:
2F:
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Table 19. Device Geometry Information
Offset
Length
Description
Code
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