參數(shù)資料
型號： 2N6288
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon Plastic Power Transistor(7A，40W，30V（集電極-發(fā)射極），塑料，補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
中文描述： 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： 2N6288
Complementary Silicon Plastic
Power Transistors
. . . designed for use in general
purpose amplifier and switching
applications.
DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes
h
FE
= 30
150 @ I
C
= 3.0 Adc — 2N6111, 2N6288
= 2.3 (Min) @ I
C
= 7.0 Adc — All Devices
Collector
Emitter Sustaining Voltage —
V
CEO(sus)
= 30 Vdc (Min) — 2N6111, 2N6288
= 50 Vdc (Min) — 2N6109
= 70 Vdc (Min) — 2N6107, 2N6292
High Current Gain — Bandwidth Product
f
T
= 4.0 MHz (Min) @ I
C
= 500 mAdc — 2N6288, 90, 92
= 10 MHz (Min) @ I
C
= 500 mAdc — 2N6107, 09, 11
TO
220AB Compact Package
These devices are available in Pb
free package(s). Specifications herein
apply to both standard and Pb
free devices. Please see our website at
www.onsemi.com for specific Pb
free orderable part numbers, or
contact your local ON Semiconductor sales office or representative.
θ
7.0
0.32
Collector
Base Voltage
Emitter
Base Voltage
Collector Current — Continuous
V
V
EB
I
C
40
60
5.0
80
Vdc
Vdc
Adc
Derate above 25 C
J
stg
W/ C
Preferred
devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
March, 2006
Rev. 6
1
Publication Order Number:
2N6107/D
2N6107
2N6109
2N6111
NPN
2N6288
2N6292
*ON Semiconductor Preferred Device
7 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
30
50
70 VOLTS
40 WATTS
*
*
CASE 221A
09
TO
220AB
PNP
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
123
4
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PDF描述
2N6292 Complementary Silicon Plastic Power Transistor(7A，40W，70V（集電極-發(fā)射極），塑料，補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
2N6303 Silicon PNP Power Transistors
2N6304 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
2N6323 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2N6324 TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-210AE
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參數(shù)描述
2N6288 LEDFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6288G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6289 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS
2N629 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:GE PNP POWER BJT
2N6290 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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