參數(shù)資料
型號: 2N6288
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Complementary Silicon Plastic Power Transistor(7A,40W,30V(集電極-發(fā)射極),塑料,補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
中文描述: 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù): 2/7頁
文件大?。?/td> 129K
代理商: 2N6288
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
http://onsemi.com
2
40
00
20
40
60
80
100
120
160
Figure 1. Power Derating
T
C
, CASE TEMPERATURE (
°
C)
P
20
30
140
10
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N6288G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6289 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS
2N629 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:GE PNP POWER BJT
2N6290 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2