參數(shù)資料
型號(hào)： 2N6288
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Complementary Silicon Plastic Power Transistor(7A，40W，30V（集電極-發(fā)射極），塑料，補(bǔ)償型硅NPN功率晶體管)
中文描述： 7 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： 2N6288
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
http://onsemi.com
3
*Indicates JEDEC Registered Data.
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2.0%.
(2) f
T
= |h
fe
|
f
test
.
(I
C
= 100 mAdc, I
B
= 0)
2N6111, 2N6288
50
(V
CE
= 40 Vdc, I
B
= 0)
2N6109
(V
CE
= 60 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc)
CE
EB(off)
(V
CE
= 50 Vdc, V
EB(off)
= 1.5 Vdc, T
C
= 150 C)
CE
EB(off)
C
2N6109
2N6109
CEX
EBO
(I
C
= 2.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
C
CE
(I
C
= 7.0 Adc, V
CE
= 4.0 Vdc)
2N6107, 2N6292
All Devices
30
2.3
150
—
Collector
Emitter Saturation Voltage
C
B
V
—
—
3.5
3.0
Vdc
Vdc
Base
Emitter On Voltage
(I
C
= 500 mAdc, V
CE
= 4.0 Vdc, f
test
= 1.0 MHz)
2N6288, 92
10
—
Output Capacitance (V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
ob
—
250
pF
Small
Signal Current Gain (I
= 0.5 Adc, V
= 4.0 Vdc, f = 50 kHz)
h
20
—
—
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PDF描述
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2N6304 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
2N6323 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2N6324 TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 30A I(C) | TO-210AE
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參數(shù)描述
2N6288 LEDFREE 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6288G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 7A 30V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N6289 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:MAXIMUM RATINGS, ABSOLUTE-MAXIMUM VALUOS
2N629 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:GE PNP POWER BJT
2N6290 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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