參數(shù)資料
型號： 2N7002
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,開態(tài)漏極電流0.5A，N溝道增強型垂直DMOS場效應管)
中文描述： N溝道增強型場效應管垂直的DMOS（擊穿電壓60V的，開態(tài)漏極電流為0.5A，?溝道增強型垂直的DMOS場效應管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 30K
代理商： 2N7002
7-11
Typical Performance Curves
2N7002
Output Characteristics
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
DS
(volts)
I
D
Saturation Characteristics
V
DS
(volts)
I
D
(
Maximum Rated Safe Operating Area
0.1
100
10
1
1.0
0.1
0.01
0.001
V
DS
(volts)
I
D
(
Thermal Response Characteristics
T
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.001
10
0.01
0.1
1.0
t
p
(seconds)
Transconductance vs. Drain Current
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
0.4
0.2
G
F
(
I
D
(amperes)
Power Dissipation vs. Temperature
0
150
100
50
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
125
75
25
T
A
(
°
C)
P
D
(
SOT-23
T
A
= 25
°
C
P
D
= 0.36W
SOT-23
T
A
= -55
°
C
T
A
= 25
°
C
V
DS
= 25V
0
10
20
30
50
40
4V
3V
0
2
4
6
10
8
25
°
C
125
°
C
7V
9V
0.6
1.0
0.8
10V
8V
6V
5V
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
4V
3V
7V
9V
10V
8V
6V
5V
SOT-23 (DC)
SOT-23 (pulsed)
V
GS
=
V
GS
=
相關PDF資料
PDF描述
2N7007 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
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2N7008 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,開態(tài)漏極電流0.5A，N溝道增強型垂直DMOS場效應管)
2N7008 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7012 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.3A I(D) | TO-250VAR
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參數(shù)描述
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2N7002 H6327 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002 L6327 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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