參數(shù)資料
型號： 2N7002
廠商： ELAN Microelctronics Corp .
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,開態(tài)漏極電流0.5A，N溝道增強型垂直DMOS場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管垂直的DMOS（擊穿電壓60V的，開態(tài)漏極電流為0.5A，?溝道增強型垂直的DMOS場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 30K
代理商： 2N7002
7-12
2N7002
Typical Performance Curves
Gate Drive Dynamic Characteristics
Q
G
(nanocoulombs)
V
G
T
j
(
°
C)
V
G
(
D
R
(
V
GS(th)
and
R
DS(ON)
Variation with Temperature
On-Resistance vs. Drain Current
R
D
(
B
D
(
T
j
(
°
C)
Transfer Characteristics
V
GS
(volts)
I
D
Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
50
C
V
DS
(volts)
I
D
(amperes)
BV
DSS
Variation with Temperature
0
10
20
30
40
25
0
0
2
4
6
8
10
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
-50
0
50
100
150
1.1
1.0
10
8
6
4
2
0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
10
8
6
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-50
0
50
100
150
30 pF
V
DS
= 40V
V
DS
= 10V
V
GS
= 5V
V
GS
= 10V
T
A
= -55
°
C
V
DS
= 25V
125
°
C
0
0.5
1.0
1.5
2.5
2.0
f = 1MHz
C
ISS
C
OSS
C
RSS
0.9
90 pF
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
V
GS(th)
@ 1mA
25
°
C
0
R
DS(ON)
@ 10V, 0.5A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7007 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET
2N7008-G N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7008 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET(擊穿電壓60V,開態(tài)漏極電流0.5A，N溝道增強型垂直DMOS場效應(yīng)管)
2N7008 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs
2N7012 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 1.3A I(D) | TO-250VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002 _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
2N7002 215 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
2N7002 BK 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.59nC(4.5V) 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:350mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,500
2N7002 H6327 功能描述:MOSFET N-Channel 60V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2N7002 L6327 功能描述:MOSFET N-KANAL SML SIG MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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