參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA0886
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type (For low-frequency power amplification Complementary)
中文描述： 1.5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 95K
代理商： 2SA0886
2SA0886
3
SJD00003BED
Safe operation area
R
th
t
0.001
0.1
0.01
0.1
1
10
1
10
100
Single pulse
T
C
=25C
t=10ms
t=1s
I
CP
I
C
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
10
1
1
10
10
2
10
4
10
3
10
–4
10
4
10
3
10
2
10
1
10
–1
10
–2
10
–3
(1)Without heat sink
(2)With a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
(1)
(2)
Time t (s)
T
t
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA886 Silicon PNP epitaxial planar type (For low-frequency power amplification Complementary)
2SA0900 For low-frequency Power amplification Complementary
2SA0914 For audio system/pli drive
2SA0921 For high breakdown voltage low-noise amplification Complementary
2SA0963 For low-frequency power amplification
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA0886(2SA886) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SA0886 (2SA886) - PNP Transistor
2SA08860Q 功能描述:TRANS PNP HF 40VCEO 1.5A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA0886Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
2SA0886R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126
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