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參數(shù)資料
| 型號： | 2SA0886 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type (For low-frequency power amplification Complementary) |
| 中文描述： | 1.5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 95K |
| 代理商： | 2SA0886 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SA886 | Silicon PNP epitaxial planar type (For low-frequency power amplification Complementary) |
| 2SA0900 | For low-frequency Power amplification Complementary |
| 2SA0914 | For audio system/pli drive |
| 2SA0921 | For high breakdown voltage low-noise amplification Complementary |
| 2SA0963 | For low-frequency power amplification |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SA0886(2SA886) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SA0886 (2SA886) - PNP Transistor |
| 2SA08860Q | 功能描述:TRANS PNP HF 40VCEO 1.5A TO-126 RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SA0886Q | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
| 2SA0886R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
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