參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5704
英文描述: Low-Power, Single/Dual-Voltage µP Reset Circuits with Capacitor-Adjustable Reset Timeout Delay
中文描述: 晶體管
文件頁數(shù): 5/9頁
文件大?。?/td> 63K
代理商: 2SC5704
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
110
100
VCE = 2 V
f = 1 GHz
NF
Ga
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
110
100
VCE = 1 V
f = 1 GHz
NF
Ga
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (TA = 25°C)
NE662M16
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
110
100
VCE = 1 V
f = 1.5 GHz
NF
Ga
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
110
100
VCE = 2 V
f = 1.5 GHz
NF
Ga
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
110
100
VCE = 1 V
f = 2 GHz
NF
Ga
6
5
4
3
2
1
0
30
25
20
15
10
5
0
110
100
VCE = 2 V
f = 2 GHz
NF
Ga
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current, IC (mA)
Noise
Figure,
NF
(dB)
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5930 1000 mA, 285 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SD0814A Small-signal device - Small-signal transistor - General-use Low-Frequency Amplifires
2SD1799 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN硅外延平面型達(dá)林頓晶體管)
2SD1800 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor for Driver Application(驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的NPN硅外延平面型達(dá)林頓晶體管)
2SD1947A 10 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC5706-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-H 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-P-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5706-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2