參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2613
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSIII)
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOSIII）
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： 2SK2613
2SK2613
2002-08-09
2
Electrical Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
I
GSS
V
GS
30 V, V
DS
0 V
10
A
Drain-source breakdown voltage
V
(BR) GSS
I
G
10 A, V
DS
0 V
30
V
Drain cut-OFF current
I
DSS
V
DS
800 V, V
GS
0 V
100
A
Drain-source breakdown voltage
V
(BR) DSS
I
D
10 mA, V
GS
0 V
1000
V
Gate threshold voltage
V
th
V
DS
10 V, I
D
1 mA
2.0
4.0
V
Drain-source ON resistance
R
DS (ON)
V
GS
10 V, I
D
4 A
1.4
1.7
Forward transfer admittance
Y
fs
V
DS
20 V, I
D
4 A
2.0
6.0
S
Input capacitance
C
iss
2000
Reverse transfer capacitance
C
rss
30
Output capacitance
C
oss
V
DS
25 V, V
GS
0 V, f 1 MHz
200
pF
Rise time
t
r
20
Turn-ON time
t
on
40
Fall time
t
f
30
Switching time
Turn-OFF time
t
off
100
ns
Total gate charge
(gate-source plus gate-drain)
Q
g
65
Gate-source charge
Q
gs
40
Gate-drain (“miller”) charge
Q
gd
V
DD
400 V, V
GS
10 V, I
D
8 A
25
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Continuous drain reverse current (Note 1)
I
DR
8
A
Pulse drain reverse current
(Note 1)
I
DRP
24
A
Forward voltage (diode)
V
DSF
I
DR
8 A, V
GS
0 V
1.9
V
Reverse recovery time
t
rr
1600
s
Reverse recovery charge
Q
rr
I
DR
8 A, V
GS
0 V,
dI
DR
/dt 100 A/ s
24
C
Marking
※
Type
K2613
※
Lot Number
Month (starting from alphabet A)
Year
(last number of the christian era)
Duty
1%, t
w
10 s
0 V
10
V
V
GS
R
L
100
V
DD
400 V
I
D
4
A
V
OUT
4
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