參數(shù)資料
型號： 2SK2613
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSIII)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOSIII）
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 232K
代理商： 2SK2613
2SK2613
2002-08-09
3
10
0.1
0.3
1
3
10
30
0.1
0.3
1
3
5
0.5
VGS 10,15
Common source
Tc 25°C
Pulse test
F
f
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
Drain-source voltage V
DS
(V)
I
D
– V
DS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
I
D
– V
GS
D
D
Gate-source voltage V
GS
(V)
V
DS
– V
GS
Drain current I
D
(A)
Y
fs
I
D
Drain current I
D
(A)
R
DS (ON)
I
D
D
R
D
0
10
2
6
4
8
4
0
20
8
12
16
6.0
Common source
Tc 25°C
Pulse test
VGS 4.75 V
5.0
5.25
5.5
5.75
10
15
Common source
VSD 20 V
Pulse test
0
20
4
12
8
16
2
0
10
4
6
8
Tc 55°C
25
100
0.1
100
1
10
0.1
100
10
25
100
Tc 55°C
Common source
VSD 20 V
Pulse test
1
0
20
4
12
8
16
4
0
20
8
12
16
2
Common source
Tc 25°C
Pulse test
4
ID 8 A
Common source
Tc 25°C
Pulse test
0
20
4
12
8
16
20
0
100
40
60
80
VGS 5.0 V
6.25
5.25
5.5
5.75
6.5
15
6.0
10
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