參數(shù)資料
型號： 2SK2613
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSIII)
中文描述： 東芝場效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型（喝醉MOSIII）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 232K
代理商： 2SK2613
2SK2613
2002-08-09
5
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
T
PDM
t
Duty t/T
Rth (ch-c) 0.833°C/W
Single pulse
Duty 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
r
th
t
w
Safe operating area
E
AS
– T
ch
Drain-source voltage V
DS
(V)
Pulse width t
w
(S)
Channel temperature (initial) Tch (°C)
N
r
t
/
t
A
A
D
D
15
V
15
V
Test circuit
Wave form
I
AR
B
VDSS
V
DD
V
DS
R
G
25
V
DD
90 V, L 26.3 mH
VDD
BVDSS
BVDSS
2
I
L
2
1
Ε
AS
0.01
1
0.1
0.03
0.05
1
0.3
0.5
10
3
5
10
3
100
30
10000
300
DC Operation
Tc 25°C
100 s
*
1 ms
*
*
Single nonrepetitive pulse
Tc 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
ID max (pulsed)
*
ID max (continuous)
VDSS max
1000 3000
100
30
50
0
25
200
400
600
1000
800
50
75
100
125
150
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