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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 3SK298 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | 3SK298 |
3SK298
5
30
24
18
12
6
2.0
0
V = 3.0 V
1.5 V
1.0 V
V = 6 V
f = 1 kHz
0.4
0.8
1.2
1.6
0.5 V
Gate1 to source voltage V (V)
F
Forward Transfer Admittance vs.
Gate1 to Source Voltage
f
|
2.0 V
2.5 V
20
0
30
24
18
12
6
1
2
5
10
V = 3 V
f = 200 MHz
V = 6 V
P
Drain current I (mA)
Power Gain vs. Drain Current
20
0
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
1
2
Drain current I (mA)
5
10
V = 3 V
f = 200 MHz
V = 6 V
N
Noise Figure vs. Drain Current
0
30
24
18
12
6
2
4
6
8
10
V = 3 V
I = 10 mA
f = 200 MHz
P
Drain to source voltage V (V)
Power Gain vs. Drain to Source Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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