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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 3SK298 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
| 中文描述： | 硅N溝道雙柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/11頁(yè) |
| 文件大小： | 54K |
| 代理商： | 3SK298 |
3SK298
6
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
2
4
6
8
10
V = 3 V
I = 10 mA
f = 200 MHz
N
Noise Figure vs. Drain to Source Voltage
Drain to source voltage V (V)
20
0
20
16
12
8
4
1
2
Drain current I (mA)
5
10
V = 3 V
f = 900 MHz
V = 6 V
P
Power Gain vs. Drain Current
20
0
10
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2
1
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V = 3 V
f = 900 MHz
V = 6 V
N
Drain current I (mA)
Noise Figure vs. Drain Current
0
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V = 3 V
I = 10 mA
f = 900 MHz
Drain to source voltage V (V)
Power Gain vs. Drain to Source Voltage
P
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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