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參數(shù)資料
| 型號： | 4AK19 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場效應晶體管高速電源開關 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 53K |
| 代理商： | 4AK19 |
4AK19
5
Forward
Transfer
Admittance
|yfs|
(S)
Drain Current I
(A)
D
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
0.1
10
2
5
1
0.2
0.5
0.1
0.2
0.5
1
25
10
DS
V
= 10 V
Pulse Test
25 °C
Tc = –25 °C
75 °C
Reverse Drain Current
I
(A)
DR
Reverse
Recovery
Time
trr
(ns)
Body–Drain Diode Reverse
Recovery Time
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
5000
2000
1000
200
500
100
50
di/dt = 50 A/s
V
= 0, Ta = 25°C
GS
010
20
30
40
50
Capacitance
C
(pF)
Drain to Source Voltage V
(V)
DS
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
1000
300
100
30
10
3
1
0.3
0.1
V
= 0
f = 1 MHz
GS
Ciss
Coss
Crss
100
80
60
40
20
0
Gate Charge
Qg (nc)
Drain
to
Source
Voltage
V
(V)
DS
20
16
12
8
4
0
Gate
to
Source
Voltage
V
(V)
GS
Dynamic Input Characteristics
4
8
12
16
20
VGS
DS
V
= 25 V
50 V
80 V
DD
I
= 5 A
D
V
= 25 V
50 V
80 V
DD
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| 4AK20 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK21 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK22 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK23 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 4AK20 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK21 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK22 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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| 4AK25 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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