參數(shù)資料
型號(hào): 4AK19
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述: 硅?通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁(yè)數(shù): 6/8頁(yè)
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代理商: 4AK19
4AK19
6
Drain Current
I
(A)
D
Switching
Time
t
(s)
Switching Characteristics
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
2
5
1
0.2
0.5
0.1
t f
r
t
d(on)
t
d(off)
t
V
= 10 V, V
= 30 V
PW = 20 s, duty < 1 %
GS
DD
5
4
3
2
1
0
Drain to Source Voltage
V
(V)
DS
Reverse
Drain
Current
I
(A)
DR
Reverse Drain Current vs.
Souece to Drain Voltage
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Pulse Test
V
= 0, –5 V
GS
5, 10 V
Vin Monitor
D.U.T.
Vin
10 V
R L
V
= 30 V
DD
tr
td(on)
Vin
90%
10%
Vout
td(off)
Vout
Monitor
50
90%
10%
t f
Switching Time Test Circuit
Waveform
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