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參數(shù)資料
| 型號： | 4AK19 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | 4AK19 |
4AK19
4
5
4
3
2
1
0
Gate to Source Voltage
V
(V)
GS
Drain
Current
I
(A)
D
Typical Transfer Characteristics
1
2
345
V
= 10 V
Pulse Test
DS
Tc = 75°C
25°C
–25°C
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
Gate to Source Voltage
V
(V)
GS
Drain
to
Source
Voltage
V
(V)
DS(on)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
2
468
10
Pulse Test
I
= 5 A
D
1 A
2 A
Drain Current
I
(A)
D
Drain
to
Source
On
State
Resistance
R
(
)
DS(on)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
5
2
1
0.2
0.5
0.1
0.05
10 V
V
= 4 V
GS
Pulse Test
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
–40
0
40
80
120
160
Case Temperature
Tc
(°C)
0
R
(
)
DS(on)
Static
Drain
to
Source
on
State
Resistance
Pulse Test
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
I
= 5 A
D
V
= 4 V
GS
10 V
5 A
2 A
1 A
1 A, 2 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| 4AK20 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK21 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK22 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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