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參數(shù)資料
| 型號： | 934055567112 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 放大器 |
| 英文描述： | 40 MHz - 900 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND HIGH POWER AMPLIFIER |
| 封裝： | SOT-115J, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 10/12頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | 934055567112 |
2001 Oct 30
7
Philips Semiconductors
Product specication
860 MHz, 18.5 dB gain power doubler amplier
BGD902L
Fig.8
Composite triple beat as a function of output
voltage.
ZS =ZL =75 ; VB = 24 V; 129 chs; fm = 859.25 MHz.
(1) Typ. +3
σ.
(2) Typ.
(3) Typ.
3 σ.
handbook, halfpage
40
Vo (dBmV)
45
50
55
MGS450
CTB
(dB)
20
30
40
50
60
70
(1)
(2)
(3)
Fig.9
Composite second order distortion as a
function of output voltage.
ZS =ZL =75 ; VB = 24 V; 129 chs; fm = 860.5 MHz.
(1) Typ. +3
σ.
(2) Typ.
(3) Typ.
3 σ.
handbook, halfpage
40
Vo (dBmV)
45
50
55
MGS451
CSO
(dB)
30
40
50
60
70
80
(2)
(3)
(1)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 05W580EWC | LED SPECIFICATION |
| 934055571215 | 1900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 934055572412 | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-92 |
| 934055576127 | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 934055586115 | 900 MHz - 1800 MHz RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 934055762127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| 934055788118 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| 934056255127 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 54A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
| 934056947115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
| 934056954118 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 34A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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