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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV160MB100FI |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（2米× 8位/ 1個M x 16位），3.0伏的MirrorBit只引導扇區(qū)閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 50/60頁 |
| 文件大小： | 1849K |
| 代理商： | AM29LV160MB100FI |
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48
Am29LV160M
25974B0 August 11, 2003
P r e l i m i n a r y
AC Characteristics
Enter
Embedded
Erasing
Note:
The system may use CE# or OE# to toggle DQ2 and DQ6. DQ2 toggles only when read at an address within an
erase-suspended sector.
Figure 21. DQ2 vs. DQ6 for Erase and
Erase Suspend Operations
Temporary Sector Unprotect
Note:
Not 100% tested.
Figure 22. Temporary Sector Unprotect/Timing Diagram
Parameter
All Speed Options
J EDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
Erase
Erase
Resume
Erase
Enter Erase
Suspend Program
Erase Suspend
Read
Erase Suspend
Read
Erase
Suspend
Program
WE#
DQ6
DQ2
Erase
Complete
Erase
Suspend
RESET#
t
VIDR
12 V
0 or 3 V
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Am29LV160MT100 | CAP 0.01UF 100V 100V X7R RAD.20 .20X.20 BULK M-MIL-PRF-39014 STANDOFF |
| AM29LV160MT100EI | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV160MT100FI | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV160MT100WAI | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
| AM29LV160MB100WAI | 16 Megabit (2 M x 8-Bit/1 M x 16-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Boot Sector Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AM29LV160MB90EI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 16M-Bit 2M x 8/1M x 16 90ns 48-Pin TSOP |
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