參數(shù)資料
型號： ATTINY13V-10SSUR
廠商： Atmel
文件頁數(shù)： 87/176頁
文件大?。?/td> 0K
描述： MCU AVR 1KB FLASH 10MHZ 8SOIC
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： tinyAVR Introduction
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 4,000
系列： AVR® ATtiny
核心處理器： AVR
芯體尺寸： 8-位
速度： 10MHz
外圍設(shè)備： 欠壓檢測/復(fù)位，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 6
程序存儲器容量： 1KB（512 x 16）
程序存儲器類型： 閃存
EEPROM 大?。?/td> 64 x 8
RAM 容量： 64 x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.8 V ~ 5.5 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 4x10b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
包裝： 帶卷 (TR)
其它名稱： ATTINY13V-10SSUR-ND
ATTINY13V-10SSURTR
18
2535J–AVR–08/10
ATtiny13
The following code examples show one assembly and one C function for erase, write, or atomic
write of the EEPROM. The examples assume that interrupts are controlled (e.g., by disabling
interrupts globally) so that no interrupts will occur during execution of these functions.
Assembly Code Example
EEPROM_write:
; Wait for completion of previous write
sbic
EECR,EEPE
rjmp
EEPROM_write
; Set Programming mode
ldi
r16, (0<<EEPM1)|(0<<EEPM0)
out
EECR, r16
; Set up address (r17) in address register
out
EEARL, r17
; Write data (r16) to data register
out
EEDR,r16
; Write logical one to EEMPE
sbi
EECR,EEMPE
; Start eeprom write by setting EEPE
sbi
EECR,EEPE
ret
C Code Example
void
EEPROM_write(unsigned char ucAddress, unsigned char ucData)
{
/* Wait for completion of previous write */
while(EECR & (1<<EEPE))
;
/* Set Programming mode */
EECR = (0<<EEPM1)|(0>>EEPM0)
/* Set up address and data registers */
EEARL = ucAddress;
EEDR = ucData;
/* Write logical one to EEMPE */
EECR |= (1<<EEMPE);
/* Start eeprom write by setting EEPE */
EECR |= (1<<EEPE);
}
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PDF描述
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參數(shù)描述
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