參數(shù)資料
型號(hào)： BLF4G22-130
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 26 %; Frequency band: 2000 - 2200 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 33 W; Package material: SOT502A ; Power gain: 13.5 dB
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 13/13頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： BLF4G22-130
BLF4G22-130_4G22LS-130_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 July 2007
9 of 13
NXP Semiconductors
BLF4G22-130; BLF4G22LS-130
UHF power LDMOS transistor
9.
Package outline
Fig 9.
Package outline SOT502A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT502A
99-12-28
03-01-10
0
5
10 mm
scale
Flanged LDMOST ceramic package; 2 mounting holes; 2 leads
SOT502A
p
L
A
F
b
D
U2
H
Q
c
1
3
2
D1
E
A
C
q
U1
C
B
E1
M
w2
UNIT
A
mm
D
b
12.83
12.57
0.15
0.08
20.02
19.61
9.53
9.25
19.94
18.92
9.91
9.65
4.72
3.43
c
U2
0.25
0.51
27.94
qw2
w1
F
1.14
0.89
U1
34.16
33.91
L
5.33
4.32
p
3.38
3.12
Q
1.70
1.45
EE1
9.50
9.30
inches
0.505
0.495
0.006
0.003
0.788
0.772
D1
19.96
19.66
0.786
0.774
0.375
0.364
0.785
0.745
0.390
0.380
0.186
0.135
0.01
0.02
1.100
0.045
0.035
1.345
1.335
0.210
0.170
0.133
0.123
0.067
0.057
0.374
0.366
H
DIMENSIONS (millimetre dimensions are derived from the original inch dimensions)
w1
AB
M
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PDF描述
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