參數(shù)資料
型號： BLF4G22-130
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF power LDMOS transistor - Description: Basestation RF POWER Transistor ; Efficiency: 26 %; Frequency band: 2000 - 2200 GHz; Mode: W-CDMA / UMTS ; Output power: 33 W; Package material: SOT502A ; Power gain: 13.5 dB
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CERAMIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 83K
代理商： BLF4G22-130
BLF4G22-130_4G22LS-130_1
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 July 2007
2 of 13
NXP Semiconductors
BLF4G22-130; BLF4G22LS-130
UHF power LDMOS transistor
1.3 Applications
I RF power ampliers for W-CDMA base stations and multi carrier applications in the
2000 MHz to 2200 MHz frequency range.
2.
Pinning information
[1]
Connected to ange
3.
Ordering information
4.
Limiting values
Table 2.
Pinning
Pin
Description
Simplied outline
Symbol
BLF4G22-130 (SOT502A)
1
drain
2
gate
3
source
BLF4G22LS-130 (SOT502B)
1
drain
2
gate
3
source
3
2
1
sym112
1
3
2
3
2
1
sym112
1
3
2
Table 3.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
BLF4G22-130
-
anged LDMOST ceramic package; 2 mounting holes;
2 leads
SOT502A
BLF4G22LS-130 -
earless anged LDMOST ceramic package; 2 leads
SOT502B
Table 4.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VDS
drain-source voltage
-
65
V
VGS
gate-source voltage
0.5
+15
V
ID
drain current
-
15
A
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
Tj
junction temperature
-
200
°C
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