參數(shù)資料
型號(hào)： BSH106
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 1050 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/7頁(yè)
文件大?。?/td> 146K
代理商： BSH106
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
BSH106
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
V
GS(TO)
Gate threshold voltage
CONDITIONS
V
GS
= 0 V; I
D
= 10
μ
A
MIN.
20
TYP. MAX. UNIT
-
-
V
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA
0.4
0.1
-
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.57
-
140
180
240
270
1.6
10
50
1.3
3.9
0.4
1.4
2
4.5
45
20
152
71
33
-
-
V
V
T
j
= 150C
R
DS(ON)
Drain-source on-state
resistance
V
GS
= 4.5 V; I
D
= 0.6 A
V
GS
= 2.5 V; I
D
= 0.6 A
V
GS
= 1.8 V; I
D
= 0.3 A
V
GS
= 2.5 V; I
D
= 0.6 A; T
j
= 150C
V
DS
= 16 V; I
D
= 0.6 A
200
250
300
375
-
100
100
10
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
m
m
m
m
S
nA
nA
μ
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
g
fs
I
GSS
I
DSS
Forward transconductance
Gate source leakage current V
GS
=
±
8 V; V
DS
= 0 V
Zero gate voltage drain
current
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain (Miller) charge
Turn-on delay time
Turn-on rise time
Turn-off delay time
Turn-off fall time
Input capacitance
Output capacitance
Feedback capacitance
V
DS
= 16 V; V
GS
= 0 V;
T
j
= 150C
Q
g(tot)
Q
gs
Q
gd
t
d on
t
r
t
d off
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
I
D
= 1 A; V
DD
= 20 V; V
GS
= 4.5 V
V
DD
= 20 V; I
D
= 1 A;
V
= 8 V; R
= 6
Resistive load
V
GS
= 0 V; V
DS
= 16 V; f = 1 MHz
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
T
a
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
1.05
UNIT
A
-
-
-
-
-
4.2
1
-
-
A
V
ns
nC
I
F
= 0.5 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 0.5 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 16 V
0.74
27
19
August 1998
2
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSH107 N-channel enhancement mode MOS transistor
BSH112 N-channel enhancement mode field-effect transistor
BSH206 P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH299 P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH301 Dual N-channel enhancement mode MOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSH107 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode MOS transistor
BSH108 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field-effect transistor
BSH108 T/R 功能描述:MOSFET TAPE7 PWR-MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSH108,215 功能描述:MOSFET TAPE7 PWR-MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSH108215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 1.9A SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 1.9A 3-SOT
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*