參數(shù)資料
型號： BSH106
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 1050 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 146K
代理商： BSH106
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
BSH106
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
BSH105
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
2
4
6
8
Gate charge, QG (nC)
VDD = 20 V
RD = 20 Ohms
Tj = 25 C
Gate-source voltage, VGS (V)
BSH105
-5
-4.5
-4
-3.5
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
Drain-Source Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
150 C
August 1998
5
Rev 1.000
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PDF描述
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