參數(shù)資料
型號： BSH206
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： P-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 750 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 144K
代理商： BSH206
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
MOS transistor
BSH206
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
V
(BR)DSS
Drain-source breakdown
voltage
V
GS(TO)
Gate threshold voltage
CONDITIONS
V
GS
= 0 V; I
D
= -10
μ
A
MIN.
-12
TYP. MAX. UNIT
-
-
V
V
DS
= V
GS
; I
D
= -1 mA
-0.4
-0.1
-
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.68
-
0.18
0.32
0.42
0.48
1.6
±
10
-50
-11
3.8
0.4
1.0
2
4.5
45
20
200
95
41
-
-
V
V
S
nA
nA
μ
A
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
T
j
= 150C
R
DS(ON)
Drain-source on-state
resistance
V
GS
= -4.5 V; I
D
= -430 mA
V
GS
= -2.5 V; I
D
= -430 mA
V
GS
= -1.8 V; I
D
= -210 mA
V
GS
= -2.5 V; I
D
= -430 mA; T
j
= 150C
V
DS
= -9.6 V; I
D
= -430 mA
0.4
0.5
0.6
0.75
-
±
100
-100
-100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
g
fs
I
GSS
I
DSS
Forward transconductance
Gate source leakage current V
GS
=
±
8 V; V
DS
= 0 V
Zero gate voltage drain
current
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain (Miller) charge
Turn-on delay time
Turn-on rise time
Turn-off delay time
Turn-off fall time
Input capacitance
Output capacitance
Feedback capacitance
V
DS
= -9.6 V; V
GS
= 0 V;
T
j
= 150C
Q
g(tot)
Q
gs
Q
gd
t
d on
t
r
t
d off
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
I
D
= -0.5 A; V
DD
= -10 V; V
GS
= -4.5 V
V
DD
= -10 V; I
D
= -0.5 A;
V
= -8 V; R
G
= 6
Resistive load
V
GS
= 0 V; V
DS
= -9.6 V; f = 1 MHz
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
I
DR
Continuous reverse drain
current
I
DRM
Pulsed reverse drain current
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
T
a
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
-0.75
UNIT
A
-
-
-
-
-
-3
-1.3
-
-
A
V
ns
nC
I
F
= -0.38 A; V
GS
= 0 V
I
F
= -0.5 A; -dI
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= -9.6 V
-0.72
75
69
August 1998
2
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSH299 P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH301 Dual N-channel enhancement mode MOS transistor
BSM111AR(C) TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 200A I(D)
BSM121 TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 130A I(D)
BSM121AR(C) TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 130A I(D)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSH207 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH207 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSH207,135 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSH207135 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P-CH 12V 1.52A SOT457
BSH299 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:P-channel enhancement mode MOS transistor
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