參數(shù)資料
型號(hào)： BSH206
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 750 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 144K
代理商： BSH206
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
MOS transistor
BSH206
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
BSH205
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
0
1
2
3
4
5
Gate charge, (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
VDD = 10 V
RD = 20 Ohms
Tj = 25 C
BSH205
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Drain-Source Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
150 C
August 1998
5
Rev 1.000
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PDF描述
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