參數(shù)資料
型號(hào)： BSH206
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： P-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 750 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： PLASTIC, SC-88, 6 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 144K
代理商： BSH206
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
MOS transistor
BSH206
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
)
Fig.8. Typical transconductance, T
j
= 25 C
g
fs
= f(I
D
)
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
)
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
BSH205
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
Gate-Source Voltage, VGS (V)
VDS > ID X RDS(on)
Tj = 25 C
150 C
Drain Current, ID (A)
Threshold Voltage, VGS(to), (V)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
25
50
75
100
125
150
Junction Temperature, Tj (C)
minimum
typical
BSH205
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
-2.6
-2.4
-2.2
-2
-1.8
-1.6
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
Drain Current, ID (A)
Transconductance, gfs (S)
Tj = 25 C
150 C
VDS > ID X RDS(on)
BSH205
1E-07
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
-1
-0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1
Gate-Source Voltage, VGS (V)
0
Drain Current, ID (A)
VDS = -5 V
Tj = 25 C
Normalised Drain-Source On Resistance
0.5
0.6
0.8
1
1.1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
25
50
75
100
125
150
Junction Temperature, Tj (C)
VGS = -4.5 V
-1.8 V
RDS(ON) @ Tj
RDS(ON) @ 25C
-2.5 V
BSH205
10
100
1000
-0.1
-1.0
-10.0
-100.0
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Capacitances, Ciss, Coss, Crss (pF)
Ciss
Coss
Crss
August 1998
4
Rev 1.000
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PDF描述
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BSM121AR(C) TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 130A I(D)
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