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參數(shù)資料
| 型號： | BSH299 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 200 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | BSH299 |
1998 Feb 18
5
Philips Semiconductors
Objective specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH299
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
(W)
0
200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
MGL382
50
100
150
Ts (
o
C)
Fig.3 SOAR.
handbook, halfpage
10
1
10
2
10
3
MGL383
10
1
1
VDS (V)
ID
(A)
10
10
2
DC
pulsed
Fig.4 Transient thermal resistance from junction to soldering point as a function of pulse time; typical values.
10
0.75
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.00
1
10
3
10
2
10
1
1
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
MGL384
tp (s)
tp
T
P
t
tp
T
δ
=
Rth j-s
(K/W)
tp 1.00
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSH301 | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
| BSM111AR(C) | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 200A I(D) |
| BSM121 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 130A I(D) |
| BSM121AR(C) | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 130A I(D) |
| BSM181(C) | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)DSS | 36A I(D) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSH-30-01-F-D-A | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN SCKT STRP SKT 60 POS 0.5MM SLDR ST SMD - Bulk |
| BSH301 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
| BSHORTNOSE | 制造商:Jonard Industries 功能描述:SHORT NOSE B TYPE PLIER |
| BSI-0.8S3R0N | 制造商:Bellnix Co Ltd 功能描述:Bulk |
| BSI-0.8S6R0N | 制造商:Bellnix Co Ltd 功能描述:Bulk |
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