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參數(shù)資料
| 型號： | BSH299 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 200 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | BSH299 |
1998 Feb 18
8
Philips Semiconductors
Objective specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH299
PACKAGE OUTLINE
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT363
SC-88
w
B
M
bp
D
e1
e
pin 1
index
A
A1
Lp
Q
detail X
HE
E
v
M
A
A
B
y
0
1
2 mm
scale
c
X
1
3
2
4
5
6
Plastic surface mounted package; 6 leads
SOT363
UNIT
A1
max
bp
c
D
E
e
1
HE
Lp
Q
y
w
v
mm
0.1
0.30
0.20
2.2
1.8
0.25
0.10
1.35
1.15
0.65
e
1.3
2.2
2.0
0.2
0.1
0.2
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
0.45
0.15
0.25
0.15
A
1.1
0.8
97-02-28
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSH301 | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
| BSM111AR(C) | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 200A I(D) |
| BSM121 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 130A I(D) |
| BSM121AR(C) | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 130A I(D) |
| BSM181(C) | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)DSS | 36A I(D) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSH-30-01-F-D-A | 制造商:Samtec Inc 功能描述:CONN SCKT STRP SKT 60 POS 0.5MM SLDR ST SMD - Bulk |
| BSH301 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
| BSHORTNOSE | 制造商:Jonard Industries 功能描述:SHORT NOSE B TYPE PLIER |
| BSI-0.8S3R0N | 制造商:Bellnix Co Ltd 功能描述:Bulk |
| BSI-0.8S6R0N | 制造商:Bellnix Co Ltd 功能描述:Bulk |
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