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參數(shù)資料
| 型號： | BSH299 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 200 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | BSH299 |
1998 Feb 18
6
Philips Semiconductors
Objective specification
P-channel enhancement mode MOS transistor
BSH299
Fig.5 Switching time test circuit.
handbook, halfpage
MLD189
50
VDD =
40 V
ID
0 V
10 V
Fig.6 Input and output waveforms.
handbook, halfpage
MBB690
10 %
90 %
90 %
10 %
ton
toff
OUTPUT
INPUT
Fig.7
Capacitance as a function of
drain-source voltage; typical values.
V
GS
= 0; T
j
= 25
°
C; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
C
(pF)
0
60
40
20
0
10
20
30
MLD191
VDS (V)
Ciss
Coss
Crss
Fig.8 Output characteristics; typical values.
handbook, halfpage
0
2
10
12
200
0
400
MLD197
4
6
8
VDS (V)
VGS =
10 V
7.5 V
6 V
5 V
4 V
3 V
2.5 V
ID
(mA)
T
j
= 25
°
C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSH301 | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
| BSM111AR(C) | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 200A I(D) |
| BSM121 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 130A I(D) |
| BSM121AR(C) | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 130A I(D) |
| BSM181(C) | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 800V V(BR)DSS | 36A I(D) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BSI-0.8S3R0N | 制造商:Bellnix Co Ltd 功能描述:Bulk |
| BSI-0.8S6R0N | 制造商:Bellnix Co Ltd 功能描述:Bulk |
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