參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9608-55A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 75A條（丁）|對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 12/14頁(yè)
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代理商： BUK9608-55A
Philips Semiconductors
BUK95/9608-55A
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 6 May 2002
7 of 14
9397 750 09573
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
ID = 1 mA; VDS =VGS
Tj =25 °C; VDS =VGS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
Tj =25 °C; VDS =25V
VGS = 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
Tj (
oC)
VGS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
01
23
VGS (V)
ID
(A)
max
typ
min
03ni44
0
20
40
60
80
100
120
0
20406080
ID (A)
gfs
(S)
03ni49
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
10-2
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUL410 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
BUL45A TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
BUL46B NPN
BUS-66300II SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, QIP78
BUS-66312-B 1 CHANNEL(S), MIL-STD-1553 CONTROLLER, CPGA100
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9608-55A /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9608-55A,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9608-55B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 75A SOT404
BUK9608-55B /T3 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9608-55B,118 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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