參數(shù)資料
型號: BUK9608-55A
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五(巴西)直| 75A條(丁)|對263AB
文件頁數(shù): 3/14頁
文件大小: 327K
代理商: BUK9608-55A
Philips Semiconductors
BUK95/9608-55A
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 6 May 2002
11 of 14
9397 750 09573
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
10. Soldering
Dimensions in mm.
Fig 18. Reow soldering footprint for SOT404.
handbook, full pagewidth
MSD057
solder lands
solder resist
occupied area
solder paste
10.50
7.40
7.50
1.50
1.70
10.60
1.20
1.30
1.55
5.08
10.85
0.30
2.15
8.35
2.25
4.60
0.20
3.00
4.85
7.95
8.15
8.075
8.275
5.40
1.50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUL410 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
BUL45A TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
BUL46B NPN
BUS-66300II SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, QIP78
BUS-66312-B 1 CHANNEL(S), MIL-STD-1553 CONTROLLER, CPGA100
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9608-55A /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9608-55A,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9608-55B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 75A SOT404
BUK9608-55B /T3 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9608-55B,118 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube