參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9608-55A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 13/14頁(yè)
文件大小： 327K
代理商： BUK9608-55A
Philips Semiconductors
BUK95/9608-55A
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 6 May 2002
8 of 14
9397 750 09573
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
VDS =25V
Tj =25 °C; ID =25A
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 14. Gate-source voltage as a function of turn-on
gate charge; typical values.
VGS =0V
Fig 15. Reverse diode current as a function of reverse diode voltage; typical values.
03ni45
0
20
40
60
80
100
01
23
4
VGS (V)
ID
(A)
Tj = 175 C
Tj = 25 C
03ni43
0
1
2
3
4
5
0
2040
6080
100
QG (nC)
VGS
(V)
VDD = 14 V
VDD = 44 V
03ni42
0
20
40
60
80
100
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 175 C
Tj = 25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUL410 TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-220AB
BUL45A TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
BUL46B NPN
BUS-66300II SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, QIP78
BUS-66312-B 1 CHANNEL(S), MIL-STD-1553 CONTROLLER, CPGA100
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK9608-55A /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9608-55A,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9608-55B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 55V 75A SOT404
BUK9608-55B /T3 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK9608-55B,118 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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