參數(shù)資料
型號(hào)： BUK9608-55A
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直| 75A條（?。﹟對(duì)263AB
文件頁(yè)數(shù)： 9/14頁(yè)
文件大小： 327K
代理商： BUK9608-55A
Philips Semiconductors
BUK95/9608-55A
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 6 May 2002
4 of 14
9397 750 09573
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Thermal characteristics
Symbol Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-mb)
thermal resistance from junction to
mounting base
-
0.59
K/W
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
SOT78
vertical in still air
-
60
-
K/W
SOT404
mounted on a printed circuit board;
minimum footprint
-
50
-
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ni51
single shot
0.2
0.1
0.05
0.02
10-3
10-2
10-1
1
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
δ = 0.5
tp
T
P
t
T
δ =
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUL46B NPN
BUS-66300II SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, QIP78
BUS-66312-B 1 CHANNEL(S), MIL-STD-1553 CONTROLLER, CPGA100
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參數(shù)描述
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BUK9608-55A,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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BUK9608-55B,118 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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