參數(shù)資料
型號： BUT12
廠商： 永盛國際集團(tuán)
英文描述： SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
中文描述： 擴(kuò)散硅功率晶體管（一般）的說明
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： BUT12
1997 Aug 13
6
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT12; BUT12A
Fig.8 Base-emitter and collector-emitter saturation voltages as functions of collector current; typical values.
handbook, full pagewidth
VBEsat
VCEsat
(V)
0
10
1
MGB914
10
2
1
IC (A)
10
0.5
1.5
1.0
(1)
(2)
(4)
(3)
I
C
/I
B
= 5.
(1) V
BE
; T
j
= 25
°
C.
(2) V
BE
; T
j
= 100
°
C.
(3) V
CE
; T
j
= 100
°
C.
(4) V
CE
; T
j
= 25
°
C.
Fig.9 Base-emitter voltage as a function of base current; typical values.
handbook, full pagewidth
3
IB (A)
1.4
0.8
0
0.5
VBE
(V)
MGB911
1.2
1.0
2
2.5
1
1.5
(1)
(2)
(3)
T
j
= 25
°
C.
(1) I
C
= 8 A.
(2) I
C
= 6 A.
(3) I
C
= 3 A.
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PDF描述
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