參數(shù)資料
型號： BUT12
廠商： 永盛國際集團
英文描述： SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
中文描述： 擴散硅功率晶體管（一般）的說明
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： BUT12
1997 Aug 13
8
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT12; BUT12A
Fig.14 Test circuit inductive load and reverse
bias SOAR.
V
CL
= up to 1000 V; V
CC
= 30 V; V
BE
=
1 to
5 V; L
B
= 1
μ
H;
L
C
= 200
μ
H.
handbook, halfpage
MGE246
+
IB
VBE
LB
LC
VCC
D.U.T.
VCL
Fig.15 Switching time waveforms with
inductive load.
handbook, halfpage
MGE238
tr
90%
10%
IB
IB on
IB off
IC on
90%
10%
IC
t
t
ts
toff
tf
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PDF描述
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參數(shù)描述
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