參數資料
型號： BUT12
廠商： 永盛國際集團
英文描述： SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION)
中文描述： 擴散硅功率晶體管（一般）的說明
文件頁數： 2/12頁
文件大小： 100K
代理商： BUT12
1997 Aug 13
1
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon diffused power transistors
BUT12; BUT12A
DESCRIPTION
High-voltage, high-speed,
glass-passivated NPN power
transistor in a TO-220AB package.
APPLICATIONS
Converters
Inverters
Switching regulators
Motor control systems.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
base
collector; connected to
mounting base
emitter
3
andbook, halfpage
MBK106
1 2 3
Fig.1 Simplified outline (TO-220AB) and symbol.
handbook, halfpage
3
2
1
MBB008
QUICK REFERENCE DATA
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
V
CESM
collector-emitter peak voltage
BUT12
BUT12A
collector-emitter voltage
BUT12
BUT12A
collector-emitter saturation voltage
collector saturation current
BUT12
BUT12A
collector current (DC)
collector current (peak value)
total power dissipation
fall time
V
BE
= 0
850
1000
V
V
V
CEO
open base
400
450
1.5
V
V
V
V
CEsat
I
Csat
see Fig.8
6
5
8
20
125
0.8
A
A
A
A
W
μ
s
I
C
I
CM
P
tot
t
f
see Figs 3 and 4
see Fig. 4
T
mb
≤
25
°
C; see Fig.2
resistive load;
see Figs 12 and 13
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-mb
thermal resistance from junction to mounting base
1
K/W
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PDF描述
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