- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378989 > CXK77B3640AGB (Sony Corporation) 4Mb Late Write HSTL High Speed Synchronous SRAM(128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、高速邏輯收發(fā)（HSTL）、高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CXK77B3640AGB |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | 4Mb Late Write HSTL High Speed Synchronous SRAM(128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、高速邏輯收發(fā)（HSTL）、高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位)) |
| 中文描述： | 4Mb的后寫入HSTL高速同步SRAM（128K的x 36Bit）（4分位，寫延遲，高速邏輯收發(fā)（HSTL），高速同步靜態(tài)隨機存儲器（128K的× 36位）） |
| 文件頁數(shù)： | 25/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 284K |
| 代理商： | CXK77B3640AGB |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁當(dāng)前第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁
4Mb, Sync LW, HSTL, rev 1.5
25 / 33
July 23, 1998
SONY
CXK77B3640AGB / CXK77B1840AGB
Preliminary
Dual Clock Mode
Timing Diagram II of Read-Write-Read Operations (G Controlled)
C
C
SA
SS = V
IL
G
K
K
n
n+2
n+3
n+4
n+5
SW/SBWx
Read n
Dummy
Read
Write n+2
Read n+3
DQ
Read n+4
Qn
Qn+3
Dn+2
Qn+4
t
GHQZ
***Note***
(1)
Note 1: In order to prevent glitches on the data bus during write-read operations, when G is
driven active (low) following the rising edge of K, the data bus will remain tri-stated
until valid data from the most recent read operation is available. Specifically, the data
bus will remain tri-stated for the
maximum
of the following three times:
1.T
KHQV
2.T
KHCH
+ T
CHQV
3.(K high to G low) + T
GLQV
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXK77B1840AGB | 4Mb Late Write HSTL High Speed Synchronous SRAM(256K x 18Bit)(4M位、寫延遲、高速邏輯收發(fā)（HSTL）、高速同步靜態(tài)RAM (256K x 18位)) |
| CXK77B3641GB | 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位)) |
| CXK77V3211Q-12 | Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:24; No. Strands x Strand Size:7 x 32; Jacket Color:White/Red; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/1 Type B; Conductor Material:Copper; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC) RoHS Compliant: Yes |
| CXK77V3211Q-14 | Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:24; No. Strands x Strand Size:7 x 32; Jacket Color:White/Red; Cable/Wire MIL SPEC:MIL-W-16878/1 Type B; Conductor Material:Copper; Conductor Plating:Tin; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC) RoHS Compliant: Yes |
| CXK77V3211Q | 32768-word by 32-bit High Speed Synchronous Static RAM(32768字 × 32位高速同步靜態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CXK77B3640GB-45 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| CXK77B3640GB-4A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| CXK77B3641GB-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| CXK77B3641GB-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| CXK77K18R320GB | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:32Mb LW R-R HSTL High Speed Synchronous SRAM (2Mb x 18) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。