參數資料
型號： CY7C1425BV18-200BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 4M X 9 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數： 12/28頁
文件大小： 666K
代理商： CY7C1425BV18-200BZXC
CY7C1410BV18, CY7C1425BV18
CY7C1412BV18, CY7C1414BV18
Document #: 001-07036 Rev. *D
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Logic Block Diagram (CY7C1410BV18)
Logic Block Diagram (CY7C1425BV18)
2M
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A
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9
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1442AV25-200BZC 2M X 18 CACHE SRAM, 3.2 ns, PBGA165
CY7C1561KV18-500BZI 8M X 8 QDR SRAM, 0.33 ns, PBGA165
CY7C172A-25VC 4K X 4 STANDARD SRAM, 25 ns, PDSO24
CY7C188-35VC 32K X 9 STANDARD SRAM, 35 ns, PDSO32
CY7C292A-25DI 2K X 8 OTPROM, 25 ns, CDIP24
相關代理商/技術參數
參數描述
CY7C1425JV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx9 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1425JV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx9 1.8V QDR-II BURST 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1425JV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx9 QDR-II Burst 2 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1425JV18-267BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx9 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1425JV18-267BZIT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4Mx9 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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